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Flash Memory
Der Flash-Speicher (auch „Flash-RAM“ genannt) ist ein nicht flüchtiger Halbleiterspeicher, der intern in Speicherblöcken von 4, 8 oder 16 KByte organisiert ist, die blockweise gelöscht und neu programmiert werden können. Es handelt sich um eine Variante des elektrisch löschbaren, programmierbaren, Nur-Lese-Speichers (EEPROM). Dieser wird im Gegensatz zum Flash-Speicher auf Byteebene gelöscht und neu geschrieben, was langsamer geht als die Aktualisierung von Flash-Speichern. Trotz der höheren Anderungsgeschwindigkeit ist Flash-Speicher nicht als Random Access Memory (RAM) nutzbar, weil RAM-Speicher auf Datenbusbreite adressierbar sein muss. Flash-Speicher wird oft für die Speicherung von Steuercode wie dem Basic Input/Output System (BIOS) des Personal Computers genutzt, für USB-Sticks und seit kurzem auch als Speichermedium für Solid State Disk (SSD). Der Flash-Speicher wurde so genannt, weil der Mikrochip so organisiert ist, dass ein Abschnitt der Speicherzellen mit einer einzelnen Aktion („Flash“) gelöscht wird. Die Löschung wird durch Fowler-Nordheim-Tunneling bewerkstelligt, wobei die Ladungsträger ein dünnes di-elektrisches Material durchtunneln, um die elektrische Ladung aus einem mit der jeweiligen Speicherzelle verknüpften Kondensator zu entfernen. Intel bietet einen Flash-Speichertyp, der (statt ein) zwei Bits je Speicherzelle unterbringen kann, wodurch die Speicherkapazität verdoppelt wird, ohne den Preis entsprechend zu erhöhen. Inzwischen gibt es mit Samsung und Toshiba Anbieter von Mulit-Level-Cell-Flash, die in jeder Speicherzelle drei oder vier Bit speichern können. Flash-Speicher wird auch in Handys, Digitalkameras, MP3-Playern, LAN-Switches, PC-Karten für Notebooks, Set-Top-Boxen, Embedded-Controllern und vielen anderen Geräten verwendet.